瑞芯微推出全新通用快充协议芯片RK835及RK837

商显博客 1年前 (2021) 商显君
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        VOOC闪充协议芯片之后,瑞芯微近日推出了两颗全新的通用快充协议芯片,分别是RK835RK837

 

RK835通用快充协议芯片

        瑞芯微RK835是通过了PD2.0/PD3.0/PPS认证的PD3.0协议芯片,TID4325。用于电源角色的USB Type-CPD物理层,并且支持E-Marker线缆供电,在超低功耗模式下,芯片耗电量低于10μARK835内部集成Arm Cortex-M0内核,60K Flash1K RAM来实现PD和其他专有协议,可支持10万次以上的重复烧录。RK835具备以下特性:

瑞芯微推出全新通用快充协议芯片RK835及RK837

·      内部集成的ADC可以连续地检测电压,电流,温度和通过GPIO引脚反馈的系统参数

·      所有的GPIO均可配置成边缘触发中断,DP/DM引脚可配置UART模式和BC1.2模式

·      支持I2C接口和主从模式,内部集成了输出放电功能

·      DP/DM/CC1/CC2引脚均支持24V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置了过流、过压和过热保护

瑞芯微推出全新通用快充协议芯片RK835及RK837

图为RK835+AC-DC典型应用电路 >

 

        RK835支持18100W输出,支持光耦反馈和PII2C接口的电源IC,采用QFN3*3-16封装。

 

RK837通用快充协议芯片:支持恒压恒流

        瑞芯微RK837是通过了PD2.0/PD3.0/PPS认证的PD3.0协议芯片,TID5141。同时,也通过高通QC4+认证,证书编号20210303222RK837内部集成ARM Cortex-M0内核,64K Flash2K RAM来实现PD和其他专有协议,可以支持10万次以上的重复烧录。具备以下特性:

瑞芯微推出全新通用快充协议芯片RK835及RK837


·      支持USB Type-CType-A双接口,支持I2C接口

·      集成NMOS驱动,VBUS开关管可使用低成本性能好的NMOS,内部集成快速放电电路

·      内部集成高精度ADC,可实现3-22V10mV精度输出,使用5mΩ取样电阻,可实现0.1-12A12mA精度恒流

·      DP/DM/CC1/CC2引脚均支持26V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,芯片还内置了过流、过压和过热保护

瑞芯微推出全新通用快充协议芯片RK835及RK837

图为RK837应用电路,支持1A1C输出,

采用QFN4*4-24封装>

        瑞芯微的两款通用快充协议芯片,均采用了Arm Cortex-M0核心和大容量Flash,可以支持10万次以上的重复烧录,方便客户根据产品更换协议;均具备数字I2C接口,支持丰富的主流快充协议,能够快速便捷的与各类电源芯片对接。同时具备完善的保护功能,引脚支持过压保护,芯片内部支持完善的保护功能,可实现简单可靠的适配器设计。

 

版权声明:商显君 发表于 2021年8月13日 下午11:46。
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